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siehe Spezifikationen für Produktdetails.
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onsemi FDS3512
| Artikelnummer: | FDS3512 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 10+ | $2.48 |
| 100+ | $1.9932 |
| 500+ | $1.6376 |
| 1000+ | $1.3569 |
»
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- Verpackung
-
onsemi FDS3512 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDS3512.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie PowerTrench® Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 634 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A (Ta) Grundproduktnummer FDS35 FDS3512 Einzelheiten PDF [English] FDS3512 PDF - EN.pdf -
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